Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (33)

IRF6645TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SJ Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

49 шт

Цена от:

от 148,50₽

IRLIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 22А 37Вт, 0.035 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 445 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 81,40₽

IRLZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27А 56Вт, 0.035 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 868 шт

Под заказ:

1 070 шт

Цена от:

от 58,57₽

Акция

IRLZ34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

715 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 63,25₽

DMN2058U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.6A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 7.7нКл Входная емкость: 281пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

DMP2035U-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 810мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15.4нКл Входная емкость: 1610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP2035UVT-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 23.1нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP2035UVTQ-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 23.1нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDA70N20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 3970пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDC602P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1456пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC653N Транзистор полевой N-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6630A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 21 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 462пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA530PZ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN339AN Транзистор полевой N-канальный 20В 3А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5351 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT459N Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 365пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA62N25C Транзистор полевой N-канальный 250В 62A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 298Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 6280пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB30N06LTM Транзистор полевой N-канальный 60В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1040пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FQP30N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1040пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLZ34NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

715 шт

Цена от:

от 63,25₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"