Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1888)
Surface Mount (3511)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (33)

IRLIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 22А 37Вт, 0.035 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 431 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 67,50₽

IRLZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27А 56Вт, 0.035 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

7 482 шт

Внешние склады:

652 шт

Цена от:

от 62,10₽

Акция

IRLZ34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

316 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 70,56₽

DMN2058U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.6A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.6A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

1.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±12В

Заряд затвора:

7.7нКл

Входная емкость:

281пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

DMP2035U-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.6A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

810мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

15.4нКл

Входная емкость:

1610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP2035UVT-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TSOT-26

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

1.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

23.1нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP2035UVTQ-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOT-26 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

7.2A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

±12В

Заряд затвора:

23.1нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDA70N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 70A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

417Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

3970пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDC602P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1456пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC653N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6630A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

462пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA530PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET 2x2

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.8A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1070пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN339AN Транзистор полевой N-канальный 20В 3А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5351 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.1A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

6.1A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

1310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT459N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

365пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA62N25C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 62A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

62A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

298Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

6280пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB30N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1040пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FQP30N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1040пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF6645TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.7A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] SJ

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.7A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.9В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLZ34NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 316 шт

Цена от:

от 70,56₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7106 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"