Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (25)
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 72А 130Вт 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
386 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 97,02
Акция
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
412 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 82,86
IRF7413TRPBF IRF7413TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
79нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 028 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,12
IRFB4115PBF IRFB4115PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 104А 380Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
5270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
22 704 шт

Внешние склады:
1 390 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 68,46
Акция
STP76NF75 STP76NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
139 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 86,70
STP75NF75 STP75NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 650 шт
Аналоги:
903 шт
Цена от:
от 51,60
AO4407A AO4407A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
16 781 шт
Цена от:
от 8,99
Новинка
AUIRFZ48Z AUIRFZ48Z Транзистор полевой N-канальный 55В 61A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
61A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
1720пФ
Тип монтажа:
Through Hole
DMG7430LFG-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 10.5A Aвтомобильного применения 8-Pin PowerDI EP лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
PowerDI3333-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
26.7нКл
Входная емкость:
1281пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP4015SK3Q-13 DMP4015SK3Q-13 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 14 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
3.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
47.5нКл
Входная емкость:
4234пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP4015SPS-13 DMP4015SPS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 8.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
PowerDI5060-8 (4.9x5.8)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
47.5нКл
Входная емкость:
4234пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDB110N15A FDB110N15A Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 92 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
92A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
234Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8782 FDD8782 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP75N08A FDP75N08A Транзистор полевой N-канальный 75В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
137Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
104нКл
Входная емкость:
4468пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF1010NSPBF IRF1010NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 180Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
712 шт
Цена от:
от 82,86
Акция
IRF7413PBF IRF7413PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
79нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 028 шт
Цена от:
от 33,12
Акция
IRF7805PBF IRF7805PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 13А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7805TRPBF IRF7805TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR48ZPBF IRFR48ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR3715ZPBF IRLR3715ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 49 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
49A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.55В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"