Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (25)
IRFB4115PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 104А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
6 495 шт

Под заказ:
200 шт
Аналоги:
4 000 шт
Цена от:
от 76,86
Акция STP76NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
149 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 95,71
IRF1010NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 72А 130Вт 0.012 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3210пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
856 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 114,28
IRF1010NSTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
437 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 105,80
IRF7413TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 79нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
5 411 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 37,58
STP75NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 195 шт

Под заказ:
3 550 шт
Аналоги:
2 000 шт
Цена от:
от 51,10
AO4407A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 105 шт
Цена от:
от 8,99
Новинка AUIRFZ48Z Транзистор полевой N-канальный 55В 61A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 61A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Through Hole
DMG7430LFG-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 10.5A Aвтомобильного применения 8-Pin PowerDI EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: PowerDI3333-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 26.7нКл Входная емкость: 1281пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP4015SK3Q-13 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 14 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 3.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 47.5нКл Входная емкость: 4234пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP4015SPS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 8.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: PowerDI5060-8 (4.9x5.8) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 47.5нКл Входная емкость: 4234пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDB110N15A Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 92 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 92A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 234Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4510пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8782 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1220пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP75N08A Транзистор полевой N-канальный 75В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 137Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 104нКл Входная емкость: 4468пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF1010NSPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75А 180Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
437 шт
Цена от:
от 105,80
Акция IRF7413PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 79нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 411 шт
Цена от:
от 37,58
Акция IRF7805PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 13А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Тип монтажа: Surface Mount
IRF7805TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Тип монтажа: Surface Mount
IRFR48ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLR3715ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 49 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 49A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.55В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 810пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"