Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
IRFB4332PBF IRFB4332PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 390Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO220AB
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
5860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
776 шт

Внешние склады:
770 шт
Цена от:
от 123,00
IRFP4332PBF IRFP4332PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 360Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
360Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
5860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 102 шт

Внешние склады:
485 шт
Цена от:
от 192,90
STP40NF10L STP40NF10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.028 Ом, 40А 150Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
159 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 107,52
BUK9237-55A,118 BUK9237-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 32A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
77Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.6нКл
Входная емкость:
1236пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC604P FDC604P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1926пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP3672 FDP3672 Транзистор полевой N-канальный 105В 41A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
105В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IXTK90N25L2 IXTK90N25L2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-264 (IXTK)
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
960Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
640нКл
Входная емкость:
23000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1901пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMS5P02R2G NTMS5P02R2G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.95 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.95A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
790мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.25В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7454DDP-T1-GE3 SI7454DDP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
29.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19.5нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI8406DB-T2-E1 SI8406DB-T2-E1 Транзистор полевой N-канальный 20В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-Micro Foot[тм]
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
850mВ
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIA461DJ-T1-GE3 SIA461DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
17.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19.5нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB40NF10LT4 STB40NF10LT4 Транзистор полевой N-канальный 100В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUP57N20-33-E3 SUP57N20-33-E3 Транзистор полевой N-канальный 200В 57A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
TSM2312CX RFG Транзистор полевой N-канальный 20В 4.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
11.2нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"