Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (16)

IRFP4332PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 360Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 360Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5860пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 930 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 223,93₽

STP40NF10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.028 Ом, 40А 150Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

36 шт

Под заказ:

750 шт

Цена от:

от 89,98₽

BUK9237-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 32A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 77Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 17.6нКл Входная емкость: 1236пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC604P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1926пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP3672 Транзистор полевой N-канальный 105В 41A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 105В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4332PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 390Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO220AB Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 390Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5860пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IXTK90N25L2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Производитель: Littelfuse Корпус: TO-264 (IXTK) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 960Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 640нКл Входная емкость: 23000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTGS3136PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1901пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMS5P02R2G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.95 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.95A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 790мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7454DDP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 21A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 29.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8406DB-T2-E1 Транзистор полевой N-канальный 20В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA461DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 17.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS892ADN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB40NF10LT4 Транзистор полевой N-канальный 100В 40A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUP57N20-33-E3 Транзистор полевой N-канальный 200В 57A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

TSM2312CX RFG Транзистор полевой N-канальный 20В 4.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 11.2нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"