Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (33)

Акция

IRF7401TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

7 129 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 47,13₽

Акция

AUIRFR2607Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 76,56₽

IRF7403TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 464 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 69,43₽

IRF7495TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 343 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 71,38₽

IRLIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28А 38Вт, 0.022 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

500 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 295,68₽

IRLZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47А 83Вт, 0.022 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 700 шт

Под заказ:

2 600 шт

Цена от:

от 58,28₽

Акция

IRLZ44NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

729 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 77,02₽

Акция

STY112N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 710В 93А 0.022 Ом, 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 96A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 350нКл Входная емкость: 16870пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

28 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 501,63₽

AOD4189 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 40А 31Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2022UFDF-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 7.9A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 907пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5810_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86250 Транзистор полевой N-канальный 150В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 2110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP55N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 55A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF55N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 55A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS6612A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7.6нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB50N06TM Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP50N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 120Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1540пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF76429S3ST Транзистор полевой N-канальный 60В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7401PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 129 шт

Цена от:

от 47,13₽

Акция

IRF7403PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 464 шт

Цена от:

от 69,43₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"