Одиночные MOSFET транзисторы

₂₁

Сопротивление открытого канала: 800 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3542)
Chassis Mount (9)
Through Hole (1905)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

Акция

STN1NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

105пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

37 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 18,66₽

DMP1555UFA-7B Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 0.2A 3-Pin X2-DFN лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

X2-DFN0806-3

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

200мА

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

360мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

0.84нКл

Входная емкость:

55.4пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDPF10N60ZUT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

42Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1980пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDPF12N50UT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 42Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

42Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1395пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQB9N50CTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1030пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD5N15TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

230пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF620SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

5.2A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9630PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.8А 74Вт, 0.8 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9630SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9630STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 6.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD220PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

HVMDIP-4

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

800мА

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI620GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFI9630GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 4.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR220PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

4.8A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR220TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

4.8A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU220PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.8А 42Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

4.8A

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

260пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTR0202PLT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 400мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

400мА

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

225мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

2.18нКл

Входная емкость:

70пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTR0202PLT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

400мА

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

2.18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB10N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 8A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

950В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

630пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"