Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
BSP130,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 350мА, 1.5Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 350мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 120пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
99 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 463,90
BSS123,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 150мА, 0.25Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
990 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 975 шт
Цена от:
от 4,29
BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0,17A 0,36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,41
BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.36Вт, 6.0 Ом Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 73пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,41
BSS123-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0,3Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,41
BSS123L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 2.5нКл Входная емкость: 21.5пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,41
BSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.225Вт, 6.0 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
100 339 шт
Цена от:
от 1,41
BSS123TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,41
BSS123W-7-F Транзистор полевой N-канальный 100В 170мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция BVSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQN1N50CTA Транзистор полевой N-канальный 500В 380мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 380мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 890мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция MTP2P50EG Полевой транзистор, P-канальный, 500 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1183пФ Тип монтажа: Through Hole
STD3NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 601пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF3NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 601пФ Тип монтажа: Through Hole
TP0610K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 185мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount
TP0610K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 185мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"