Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (15)
BSP130,115 BSP130,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 350мА, 1.5Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
300В
Ток стока макс.:
350мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
99 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 411,90
Новинка
BSS123 BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0,17A 0,36Вт
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
73пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 800 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
35 010 шт
Цена от:
от 1,08
BSS123,215 BSS123,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 150мА, 0.25Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
250мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
16 073 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
26 737 шт
Цена от:
от 3,18
BSS123 BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.36Вт, 6.0 Ом
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
73пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
42 810 шт
Цена от:
от 1,08
BSS123-7-F BSS123-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0,3Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
42 810 шт
Цена от:
от 1,08
BSS123L BSS123L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
21.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
42 810 шт
Цена от:
от 1,08
BSS123LT1G BSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.225Вт, 6.0 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
20пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
147 756 шт
Цена от:
от 1,08
BSS123W-7-F BSS123W-7-F Транзистор полевой N-канальный 100В 170мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
BVSS123LT1G BVSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
20пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQN1N50CTA FQN1N50CTA Транзистор полевой N-канальный 500В 380мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
380мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
890мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
MTP2P50EG MTP2P50EG Полевой транзистор, P-канальный, 500 В, 2 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1183пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD3NK100Z STD3NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
601пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF3NK100Z STF3NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
601пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
TP0610K-T1-E3 TP0610K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
185мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.7нКл
Входная емкость:
23пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 185мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
185мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
1.7нКл
Входная емкость:
23пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"