Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
IRF630NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт, 0.3 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 82Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
6 578 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 31,39
IRF630NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 82Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
507 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 85,35
2SK2615(TE12L,F) Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2 А Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
AO7800 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 0.9А Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
FDY302NZ Транзистор полевой N-канальный 20В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF630NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 3.1Вт, 0.3 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 82Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 575пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
507 шт
Цена от:
от 85,35
Акция IRF9530PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF9530SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 12А 88Вт, 0.3 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9530STRLPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 12A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFI9530GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP350LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP350PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16А 190Вт, 0.3 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
NDS332P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: 3-SSOT Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDS352AP Транзистор полевой P-канальный 30В 900мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 135пФ Тип монтажа: Surface Mount
NDT2955 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.5А 3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 601пФ Тип монтажа: Surface Mount
SFP9530 Транзистор полевой P-канальный 100В 10.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 66Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"