Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (11)
2SK3019TL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.1A Производитель: ROHM Корпус: EMT3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 13пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
14 811 шт
Цена от:
от 3,21
BS108ZL1G Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Through Hole
FDY101PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 150 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBF20LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.7 А Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBF20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFBF20SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFBF20STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFIBF20GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.2 А, 30 Вт, 8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole
SI1031R-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 140 мА Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 140мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 1.5нКл Тип монтажа: Surface Mount
STD1HN60K3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.2 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 9.5нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVP2110GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 310мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"