Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
Акция
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
2810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
167 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 91,74
Акция
FDB8447L FDB8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 60Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
2620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8447L FDD8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 44Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
15.2A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8780 FDD8780 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7692 FDMC7692 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.3A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP085N10A-F102 FDP085N10A-F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 96 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
96A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
188Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
2695пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS4465 FDS4465 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
8237пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF1010EZSTRLP IRF1010EZSTRLP Полевой транзистор N-канальный 60В 84A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
2810пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF8721PBF IRF8721PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2,5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1040пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 610 шт
Цена от:
от 30,06
Акция
IRF9388PBF IRF9388PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4420BDY-T1-E3 SI4420BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 9.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI6423DQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TSSOP8
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
8.2A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.05Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
110нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TSSOP8
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
8.2A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.05Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
110нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR172ADP-T1-GE3 SIR172ADP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
29.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1515пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS862DN-T1-GE3 SIS862DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 40 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.6В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
1320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STD60N55F3 STD60N55F3 Транзистор полевой N-канальный 55В 65A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD65N55F3 STD65N55F3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 65A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STP60N55F3 STP60N55F3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 80 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"