Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (29)

IRF3710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

3130пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 548 шт

Внешние склады:

1 615 шт

Цена от:

от 34,74₽

IRF3710STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

3130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 335 шт

Внешние склады:

1 020 шт

Цена от:

от 78,90₽

Акция

IRFP90N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 94А 580Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

94A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

580Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

270нКл

Входная емкость:

6040пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

621 шт

Внешние склады:

122 шт

Цена от:

от 231,66₽

Акция

IRFZ44EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт, 0.023 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

423 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 77,40₽

IRFZ44ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

48A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 489 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 71,70₽

DMN3026LVT-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.6A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOT-26 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

1.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

12.5нКл

Входная емкость:

643пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86326 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1035пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS6N548 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA410NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 9.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

14нКл

Входная емкость:

1080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86102L Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86324 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 20 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

965пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS3672 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.4A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

2680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3672 Транзистор полевой N-канальный 100В 7.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

2015пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86141 Транзистор полевой N-канальный 100В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

16.5нКл

Входная емкость:

934пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

635пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

214Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP70N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF70N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 35 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

62Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

HUFA76429D3ST_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 20 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

1480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3710SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

3130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 355 шт

Цена от:

от 64,25₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"