Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (29)

IRF3710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

6 945 шт

Под заказ:

1 300 шт

Цена от:

от 45,30₽

Акция

IRFP90N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 94А 580Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 94A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 580Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 6040пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

950 шт

Под заказ:

127 шт

Цена от:

от 260,91₽

IRF3710STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 560 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 79,59₽

Акция

IRFZ44EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт, 0.023 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

812 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 87,18₽

IRFZ44ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 976 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 83,20₽

DMN3026LVT-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.6A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 643пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD86326 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1035пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS6N548 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA410NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86102L Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86324 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 965пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS3672 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS3672 Транзистор полевой N-канальный 100В 7.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 2015пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86141 Транзистор полевой N-канальный 100В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 934пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 635пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP70N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF70N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUFA76429D3ST_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF3710SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57А 200Вт, 0.025 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 560 шт

Цена от:

от 64,25₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"