Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (26)

IRF640NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

13 781 шт

Под заказ:

4 550 шт

Цена от:

от 28,67₽

IRF640NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

34 219 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 39,06₽

AUIRF6218S Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

6 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

100 шт

Цена от:

от 180,53₽

IRF6218PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2210пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

25 шт

Под заказ:

1 500 шт

Цена от:

от 170,59₽

DMN3300U-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 193пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB19N20TM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 19.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP19N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 19.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF19N20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 11.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.8A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF6218STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF640NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

34 219 шт

Цена от:

от 37,69₽

IRFPS38N60LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 38 А Производитель: Vishay Корпус: Super-247 (TO-274AA) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 540Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 320нКл Входная емкость: 7990пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

MTD3055V Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS9407 Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 732пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055-150T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4173PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10.1нКл Входная емкость: 430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTZS3151PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 860мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 860мА Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 170мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 458пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD3055-150T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1317DL-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 272пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1403BDL-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 1.4A Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 568мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 4.5нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHG32N50D-E3 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 390Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 96нКл Входная емкость: 2550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"