Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (26)

AUIRF6218S Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

78 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

100 шт

Цена от:

от 209,76₽

IRF6218PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2210пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

404 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 203,76₽

IRF640NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

7 422 шт

Внешние склады:

4 690 шт

Цена от:

от 26,46₽

IRF640NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

30 488 шт

Внешние склады:

1 910 шт

Аналоги:

89 шт

Цена от:

от 38,40₽

DMN3300U-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 2A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

600мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Входная емкость:

193пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB19N20TM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 19.4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

19.4A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP19N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 19.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

19.4A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF19N20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 11.8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

11.8A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF6218STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF640NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт, 0.15 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

1160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

32 487 шт

Цена от:

от 38,40₽

IRFPS38N60LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 38 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

Super-247 (TO-274AA)

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

540Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

320нКл

Входная емкость:

7990пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

MTD3055V Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 12 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS9407 Транзистор полевой P-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

732пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055-150T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4173PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

290мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10.1нКл

Входная емкость:

430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTZS3151PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 860мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-563-6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

860мА

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

170мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

5.6нКл

Входная емкость:

458пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD3055-150T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1317DL-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.4 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-323

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

6.5нКл

Входная емкость:

272пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1403BDL-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 1.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

568мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.3В

Заряд затвора:

4.5нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHG32N50D-E3 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

390Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

96нКл

Входная емкость:

2550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"