Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (44)

Акция

IRFR13N15DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

58 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 236,04₽

Акция

IRL520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт, 0.18 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

719 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 53,56₽

Акция

IRLI520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

375 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 51,70₽

CSD13381F4 Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD13381F4T Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG312P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN352AP Транзистор полевой P-канальный 30В 1.3А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 1.9нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD13N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.8A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP240PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20А 150Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFP31N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 31А 460Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC (High Voltage) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 460Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR13N15DPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 14А 86Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

58 шт

Цена от:

от 236,04₽

IRL520NSPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL520NSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL640A Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1705пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"