Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (29)

BUK9Y12-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 52A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 9.8нКл Входная емкость: 1423пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

3 000 шт

Цена от:

от 44,83₽

Акция

IRF7413ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 533 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 38,58₽

IRFB4410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 96А 250Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 88A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

238 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 163,41₽

IRFHM9331TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -11A 2.8Вт защитный диод PQFN33 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1543пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

4 978 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 39,77₽

IRL3705NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77А 130Вт, 0.01 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 89A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

696 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 108,51₽

IRL3705NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 89A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 89A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

827 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 153,03₽

Акция

IRLI3705NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 52A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

50 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 165,43₽

AO4425 Полевой транзистор P-канальный 38В 14A 8-Pin SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 38В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9212-55B,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 3519пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16411Q3 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 56 А Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 3.8нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN1019UFDE-7 Транзистор полевой N-канальный 12В 11A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 690мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 50.6нКл Входная емкость: 2425пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDD6635 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 35В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC6679AZ Транзистор полевой P-канальный 30В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 3970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP100N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А, 0.01 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 7300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS6680AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.6A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1235пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP85N06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 85 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4120пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF85N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 53A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4120пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75545P3 Транзистор полевой N-канальный 80В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 235нКл Входная емкость: 3750пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75545S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 235нКл Входная емкость: 3750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"