Одиночные MOSFET транзисторы

₂₇

Сопротивление открытого канала: 16 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1905)
Surface Mount (3542)
Chassis Mount (9)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (27)

Акция

IRFI4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 34A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

34A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

46Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4440пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

154 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 146,28₽

Акция

IRFIZ48NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 40А 54Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

54Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

89нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

244 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 50,22₽

Акция

IRFP048NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А, 130Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

64A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

89нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

90 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 80,88₽

Акция

IRFR2405TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 716 шт

Внешние склады:

820 шт

Цена от:

от 62,46₽

STD60NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 110Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

1810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 017 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 67,44₽

STP60NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 110Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

73нКл

Входная емкость:

1660пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

938 шт

Внешние склады:

20 шт

Цена от:

от 78,06₽

IRFHS8342TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.8A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PQFN6-(2x2)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.8A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

8.7нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

900 шт

Цена от:

от 38,34₽

AUIRFR2405 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2430пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG4435SSS-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.3A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.3A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

35.4нКл

Входная емкость:

1614пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1857пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

107нКл

Входная емкость:

5870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3652 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

2880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

47нКл

Входная емкость:

1874пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDI150N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-262-3

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

4760пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDMA905P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-MLP (2x2)

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

3405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1857пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP3652 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

2880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

2170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS3572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 8.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

8.9A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1990пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2410пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"