Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (27)

Акция

IRFI4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 34A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 46Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4440пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

225 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 177,99₽

Акция

IRFR2405TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

4 704 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 85,91₽

Акция

IRFIZ48NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 40А 54Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

248 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 68,66₽

Акция

IRFP048NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А, 130Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 64A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

158 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 105,38₽

STD60NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1810пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

54 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 97,83₽

STP60NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 1660пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

891 шт

Под заказ:

20 шт

Цена от:

от 98,27₽

AUIRFR2405 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 30 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG4435SSS-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 7.3A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 35.4нКл Входная емкость: 1614пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1857пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2532 Транзистор полевой N-канальный 150В 79A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 5870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3652 Транзистор полевой N-канальный 100В 61A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 1874пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDI150N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 57 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 4760пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDMA905P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MLP (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 3405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP16AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1857пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP3652 Транзистор полевой N-канальный 100В 61A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP65N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS3572 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1990пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP65N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF65N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40А 56Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"