Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (19)

Акция

IRF3708PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 62A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 87Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 2417пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

203 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 38,18₽

IPP77N06S212AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 77A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 158Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

5 000 шт

Цена от:

от 199,61₽

IRF1010EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 84А 170Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 84A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 3210пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

757 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 74,49₽

IRFP054NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 81А 170Вт, 0.012 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 81A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

151 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 151,10₽

Акция

IRL3103PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56А 83Вт, 0.014 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 64A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

125 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 203,18₽

BUK7Y12-40EX Транзистор полевой N-канальный 40В 52A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1039пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3016LFDE-13 Транзистор полевой N-канальный 30В 10A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 730мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 25.1нКл Входная емкость: 1415пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3016LFDE-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 10A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 730мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 25.1нКл Входная емкость: 1415пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB120N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 74 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 5605пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6690A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP120N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 74A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 74A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 5605пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS4480 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1686пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS6690AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75339P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP120N20NFDAKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 84 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 84A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 6650пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI1010NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 58Вт, 0.012 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 49A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ48VPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 72А 190Вт, 0.018 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 72A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1985пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTMS4177PR2G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 840мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4425BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 100нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"