Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (40)
IRF5210PBF IRF5210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 200Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 874 шт

Внешние склады:
1 072 шт
Цена от:
от 88,44
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 859 шт

Внешние склады:
2 225 шт
Цена от:
от 59,76
IRF5305PBF IRF5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 316 шт

Внешние склады:
1 880 шт
Цена от:
от 41,46
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 367 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 61,02
Акция
IRF7204TRPBF IRF7204TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 545 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 41,46
IRF7207TRPBF IRF7207TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
892 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 25,32
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 875 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 43,14
IRLZ24NPBF IRLZ24NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18А 45Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
784 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,62
STP24NF10 STP24NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.055 Ом, 26A,
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
268 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 205,26
Акция
IRF7452TRPBF IRF7452TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A, 2.5Вт 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
13 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 234,96
DMG3418L-7 DMG3418L-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5.5нКл
Входная емкость:
464.3пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP2305U-7 DMP2305U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.2A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
7.6нКл
Входная емкость:
727пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDM3622 FDM3622 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4.4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1090пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDN357N FDN357N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.9нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP51N25 FDP51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 51A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
320Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
3410пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS3692 FDS3692 Полевой транзистор N-канальный 100В 4.5A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
746пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQPF20N06 FQPF20N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQU20N06LTU FQU20N06LTU Транзистор полевой N-канальный 60В 17.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17.2A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF5210LPBF IRF5210LPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF5210SPBF IRF5210SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 3.8Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 084 шт
Цена от:
от 59,76
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"