Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (14)

STW88N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 84А 450Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 84A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 450Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 204нКл Входная емкость: 8825пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

344 шт

Под заказ:

281 шт

Цена от:

от 1 149,33₽

IRLML6344TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

6 258 шт

Под заказ:

101 350 шт

Аналоги:

19 566 шт

Цена от:

от 9,46₽

BUK7Y38-100EX Полевой транзистор N-канальный 100В 30A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7.9нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG3420U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 5.47A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.47A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 740мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 434.7пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2050L-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 5.9A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 532пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3032LE-13 Транзистор полевой N-канальный 30В 5.6A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 14Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 498пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS3580 Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8449 Транзистор полевой N-канальный 40В 7.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7488TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 6.3 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR3518PBF Транзистор полевой N-канальный 80В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR3518TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2369DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.6A Производитель: Vishay Корпус: TO-236 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA413DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STY100NM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 98 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 98A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 330нКл Входная емкость: 9600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"