Одиночные MOSFET транзисторы

₁₉

Сопротивление открытого канала: 540 мОм

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1905)
Surface Mount (3539)
Chassis Mount (9)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (19)

FQPF13N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 13А 48Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

2055пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт, 0.54 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF510SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF510STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFD110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

DIP-4

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI510GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

27Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFL110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2.0Вт, 0.54 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFL110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 3.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.8А 25Вт, 0.54 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.3нКл

Входная емкость:

180пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.6А 43Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.6A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6.1нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLD110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6.1нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLL110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6.1нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6.1нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6.1нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

6.1нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN4310GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.67A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.67A

Сопротивление открытого канала:

540 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7106 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"