Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (31)

IRFI4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 47А 46Вт, 0.021 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

46Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

394 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 255,48₽

Акция

IRFP3710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 51А 180Вт, 0.028 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

190нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

7 445 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 108,48₽

IRFP4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 330Вт, 0.021 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

4600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

748 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 148,68₽

Новинка

STT6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3.6нКл

Входная емкость:

283пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

894 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 35,46₽

Акция

STL6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFLAT 2x2

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3.6нКл

Входная емкость:

283пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

13 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 10,32₽

DMG3414U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.2A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

780мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

9.6нКл

Входная емкость:

829.9пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG3414UQ-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.2A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

780мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

±8В

Заряд затвора:

9.6нКл

Входная емкость:

829.9пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG6968U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 6.5A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

810мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

8.5нКл

Входная емкость:

151пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP4025LK3-13 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 6.7 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.8В

Заряд затвора:

33.7нКл

Входная емкость:

1640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC655BN Транзистор полевой N-канальный 30В 6.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

570пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86102LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1305пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86250 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 6.7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

2330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75639G3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 56 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639P3 Транзистор полевой N-канальный 100В 56A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639S3ST Транзистор полевой N-канальный 100В 56A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807APBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

17нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 8.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

17нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807VD1PBF Полевой транзистор N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

14нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807VTRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 8.3A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.3A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

14нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFB59N10DPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 59A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

59A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

114нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"