Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (25)

BSH114,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 500мА, 0.83Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 4.6нКл Входная емкость: 138пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

6 000 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 31,43₽

Акция

IPD50R500CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.6A 57Вт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 550В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 18.7нКл Входная емкость: 433пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 477 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 69,71₽

STP14NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13.5А 40Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2220пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

290 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 200,97₽

FDY102PZ Транзистор полевой P-канальный 20В 830мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 830мА Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 3.1нКл Входная емкость: 135пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPW90R500C3FKSA1 Полевой транзистор N-канальный 900В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9640PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9640SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9Z14PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9Z14SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9Z14STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 6.7 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFD9010PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 1.1 А Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 240пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9014PBF Транзистор полевой P-канальный 60В 1.1А 1.3Вт Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFL9014TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.8А 2Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFP9240PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 12А 150Вт, 0.55 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR9010PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 9.1нКл Входная емкость: 240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9010TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 5.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 9.1нКл Входная емкость: 240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9014PBF Транзистор полевой P-канальный 60В 5.1А 25Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9014TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"