Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (40)
Акция
AUIRLR3705Z AUIRLR3705Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
366 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 152,04
IRF3205PBF IRF3205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
146нКл
Входная емкость:
3247пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
30 074 шт

Внешние склады:
8 645 шт
Цена от:
от 26,76
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
146нКл
Входная емкость:
3247пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 356 шт

Внешние склады:
315 шт
Цена от:
от 49,92
IRFI3205PBF IRFI3205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А 63Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
64A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
337 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 137,58
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
7 495 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 77,04
IRL2505PBF IRL2505PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 754 шт

Внешние склады:
190 шт
Цена от:
от 138,36
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
835 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 73,92
Акция
STP140NF55 STP140NF55 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
142нКл
Входная емкость:
5300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
269 шт

Внешние склады:
120 шт
Цена от:
от 60,42
IRL2505STRLPBF IRL2505STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
21 шт
Цена от:
от 507,96
Акция
STP80NF55-08 STP80NF55-08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 0,008Ом 300Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
155нКл
Входная емкость:
3850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 152,16
AON6414A AON6414A Транзистор полевой N-канальный 30В 13A 8-Pin DFN EP лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRL3705ZS AUIRL3705ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ088N03MSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6670A FDD6670A Транзистор полевой N-канальный 30В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1755пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC510P FDMC510P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 18 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
116нКл
Входная емкость:
7860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7692A FDMS7692A Транзистор полевой N-канальный 30В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86101 FDMS86101 Транзистор полевой N-канальный 100В 12.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12.4A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86101A FDMS86101A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 13 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
4120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86103L FDMS86103L Транзистор полевой N-канальный 100В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS6670A FDS6670A Транзистор полевой N-канальный 30В 13A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
2220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"