Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (40)

IRF3205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 146нКл Входная емкость: 3247пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

60 832 шт

Под заказ:

9 152 шт

Цена от:

от 29,35₽

IRFP064NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

4 135 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 130,13₽

Акция

AUIRLR3705Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

366 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 171,21₽

IRF3205STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 146нКл Входная емкость: 3247пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

131 шт

Под заказ:

160 шт

Цена от:

от 57,89₽

IRFI3205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А 63Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 64A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

207 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 131,75₽

IRL2505PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104А 200Вт, 0.008 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 953 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 180,07₽

IRL2505STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

271 шт

Цена от:

от 453,36₽

IRLR3705ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 064 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 83,21₽

STP140NF55 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 142нКл Входная емкость: 5300пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

278 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 78,47₽

STP80NF55-08 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 80А 0,008Ом 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 155нКл Входная емкость: 3850пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

28 шт

Под заказ:

5 шт

Цена от:

от 186,85₽

AON6414A Транзистор полевой N-канальный 30В 13A 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRL3705ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSZ088N03MSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6670A Транзистор полевой N-канальный 30В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1755пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC510P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 7860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7692A Транзистор полевой N-канальный 30В 13.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86101 Транзистор полевой N-канальный 100В 12.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12.4A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86101A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 4120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86103L Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6670A Транзистор полевой N-канальный 30В 13A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 2220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"