Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
IRFH5015TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 31мОм 54нКл PQFN 5x6мм Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
483 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 92,24
IRLHS2242TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 877пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
7 336 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 18,01
IRLL3303TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.6А SOT223 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
463 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 269,68
2SK3480-AZ Полевой транзистор N-канальный 100В MP-25/TO-220 Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRF7647S2TR Полевой транзистор N-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 7-Pin Direct-FET SC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK7631-100E,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 34A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29.4нКл Входная емкость: 1738пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP1045U-7 Транзистор полевой P-канальный 12В 4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15.8нКл Входная емкость: 1357пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP1045UQ-7 Транзистор полевой P-канальный 12В 5.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 15.8нКл Входная емкость: 1357пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLL3303PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
463 шт
Цена от:
от 269,68
Акция SI2312BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 12нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI2312BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 12нКл Тип монтажа: Surface Mount
SUD23N06-31-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 21.4 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21.4A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 31.25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"