Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (19)
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
6450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
95 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 164,88
IRFB7437PBF IRFB7437PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
7330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
789 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 61,62
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
411нКл
Входная емкость:
13703пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
179 шт

Внешние склады:
270 шт
Цена от:
от 144,66
IRFP7530PBF IRFP7530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195А 341Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
341Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
411нКл
Входная емкость:
13703пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
544 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 178,68
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
428нКл
Входная емкость:
13970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
63 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 147,18
AUIRF2804S AUIRF2804S Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
6450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFB8407 AUIRFB8407 Транзистор полевой N-канальный 40В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
7330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BSZ0901NSATMA1 BSZ0901NSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD9407_F085 FDD9407_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
6390пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC7570S FDMC7570S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 40 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
4410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS8820 FDMS8820 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 28 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
88нКл
Входная емкость:
5315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP020N06B_F102 FDP020N06B_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
333Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
268нКл
Входная емкость:
20930пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3-313
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
118нКл
Входная емкость:
9430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 300 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-HSOF-8-1
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
300A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
156нКл
Входная емкость:
11200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF2804SPBF IRF2804SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
6450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
145 шт
Цена от:
от 164,88
NTMFS4833NT1G NTMFS4833NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
910мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
88нКл
Входная емкость:
5600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 Полевой транзистор N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
306Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
137нКл
Входная емкость:
9997пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4136DY-T1-GE3 SI4136DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 46 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
7.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR640ADP-T1-GE3 SIR640ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
4240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"