Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (29)
Акция
AUIRFZ24NS AUIRFZ24NS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
126 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 92,40
IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070C6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 53A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
391Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
116 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 473,28
Акция
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
736 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 24,12
Акция
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 45Вт, 0.07 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 189 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 26,34
SPW47N60C3FKSA1 SPW47N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47А 415Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
415Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
320нКл
Входная емкость:
6800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 211 шт

Внешние склады:
2 834 шт
Цена от:
от 360,42
STD16NF06T4 STD16NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16А 0.06 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.1нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
372 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,22
STW48NM60N STW48NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 44А 330Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
124нКл
Входная емкость:
4285пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
17 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 269,94
AO3435 AO3435 Полевой транзистор P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
745пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
DMP3098L-7 DMP3098L-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
1.08Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Входная емкость:
336пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCA47N60_F109 FCA47N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
8000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH47N60-F133 FCH47N60-F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
8000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH47N60F-F133 FCH47N60F-F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
8000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDN327N FDN327N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6.3нКл
Входная емкость:
423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN335N FDN335N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN340P FDN340P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2 А, 0,5 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
779пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS2672 FDS2672 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA40N25 FQA40N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQB27P06TM FQB27P06TM Транзистор полевой P-канальный 60В 27A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FQP27P06 FQP27P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27А 120Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF27P06 FQPF27P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
47Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"