Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
IRFB3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 194 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 74,19
IRFP3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 280Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
845 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 173,62
IRFS3206TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
485 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 145,60
AUIRF7736M2TR Полевой транзистор N-канальный 40В 22A автомобильного применения 9-Pin Direct-FET M4 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] M4 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 108нКл Входная емкость: 4267пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS3206 Транзистор полевой N-канальный 60В 210A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS7670AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 4225пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9370пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3107TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9370пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFS3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
485 шт
Цена от:
от 145,60
IRFSL3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9370пФ Тип монтажа: Through Hole
IRL3713PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 260A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5890пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRL3713SPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 260A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 260A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5890пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRL3713STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 260A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 260A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5890пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTMFS4834NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 13 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB155N3H6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3650пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STB155N3LH6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount
STH240N75F3-6 Транзистор полевой N-канальный 75В 180A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 6800пФ Тип монтажа: Surface Mount
STP260N6F6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 183нКл Входная емкость: 11400пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"