Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1904)
Surface Mount (3542)
Chassis Mount (9)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (35)

IRFI530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 33Вт, 0.11 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

41Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

164 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 97,62₽

IRFR5505TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

8 959 шт

Внешние склады:

300 шт

Цена от:

от 25,20₽

AUIRFR5505 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18А 57Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

31 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 124,68₽

SPW32N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 32A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

560В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

284Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

170нКл

Входная емкость:

4200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

29 шт

Внешние склады:

80 шт

Цена от:

от 739,38₽

DMN2230U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

600мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Входная емкость:

188пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP6180SK3-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 14A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO-252

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.7В

Заряд затвора:

17.1нКл

Входная емкость:

984.7пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP6180SK3Q-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 14A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

17.1нКл

Входная емкость:

984.7пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS2P106A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

714пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN361BN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

1.8нКл

Входная емкость:

193пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA27N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 27A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

210Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQI27N25TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

25.5A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

3.13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQL40N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO264

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

460Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

200нКл

Входная емкость:

7500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQP13N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13А 0.135 Ом, 45Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

13.6A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP27N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

25.5A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF13N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

24Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQT13N06LTF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6.4нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPW65R110CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 31.2A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

31.2A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

277.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

118нКл

Входная емкость:

3240пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR5505PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18А 57Вт, 0.11 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

9 259 шт

Цена от:

от 25,20₽

IRFR5505TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

57Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

9 259 шт

Цена от:

от 24,77₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"