Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1888)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (31)

IRLR2908TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

362 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 80,40₽

Акция

STP45NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38А 80Вт, 0.028 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

38A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

980пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

503 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 34,20₽

STD30NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А 0.022 Ом, 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

12 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 105,00₽

2SK2420 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

BUK9230-100B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

47A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

167Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

3805пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2041L-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 6.4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.4A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

780мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

15.6нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

DMN3404L-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8А 0.72Вт

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.8A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

9.2нКл

Входная емкость:

386пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD306P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3672 Транзистор полевой N-канальный 100В 44А 28 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS5690 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

1107пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.6A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA70N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 70A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

175нКл

Входная емкость:

5400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFIZ44GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

2500пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ44PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 150Вт, 0.028 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ44RPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFZ44STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR2908PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30А 120Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 362 шт

Цена от:

от 34,34₽

IRLR2908TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 362 шт

Цена от:

от 31,56₽

IRLZ44PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

3300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLZ44SPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

3.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

3300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"