Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (31)
STP55NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 150Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 363 шт

Под заказ:
889 шт
Цена от:
от 44,42
IRF3710ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59А 160Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 131,38
IRF3710ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
853 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 141,35
IRFR3710ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 2930пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 447 шт

Под заказ:
4 000 шт
Цена от:
от 77,05
STB55NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 95Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.7В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
159 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 112,76
STB55NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
862 шт

Под заказ:
200 шт
Цена от:
от 96,92
STP55NF06FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
321 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 108,81
STP55NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 95Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
226 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 104,02
STP80NF12 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 80А 300Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 120В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 189нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
100 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 340,78
AUIRF3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRFR3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 2930пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFR3710ZTRL Полевой транзистор N-канальный 100В 56A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 2930пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK7618-55,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 57A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86200 Транзистор полевой N-канальный 150В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2715пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP3651U Транзистор полевой N-канальный 100В 80A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 5522пФ Тип монтажа: Through Hole
FDP6030BL Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF3710ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 59A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
853 шт
Цена от:
от 141,35
IRF7853PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
20 268 шт
Цена от:
от 67,64
IRFIZ48GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 37A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP048PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"