Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (25)

Акция

IRL2910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55А 200Вт, 0.026 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 690 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 179,51₽

Акция

IRF7478TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1740пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

383 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 92,70₽

IRFR2407TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

19 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 79,14₽

IRFS4227TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 372 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 107,98₽

IRL2910STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

315 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 169,21₽

AUIRFR2407 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC606P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1699пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC645N Транзистор полевой N-канальный 30В 5.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1460пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8015L Транзистор полевой N-канальный 40В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 945пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB47P06TM_AM002 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 47 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB55N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 55А 26 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP47P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 47A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP55N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 155Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF47P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 30A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

HUF75329D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 128Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7473PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 6.9A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7473TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 6.9A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7478PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1740пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

383 шт.

Цена от:

от 92,70₽

Акция

IRFR2407PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

19 шт

Цена от:

от 79,14₽

Акция

IRFS4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 62А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 372 шт

Цена от:

от 107,98₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"