Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (25)

IRF7478TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1740пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

89 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 71,04₽

IRFR2407TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

4 008 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 87,12₽

IRFS4227TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

62A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

4600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 203 шт

Внешние склады:

775 шт

Цена от:

от 93,06₽

Акция

IRL2910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55А 200Вт, 0.026 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

3700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 661 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 159,42₽

IRL2910STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

3700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

297 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 131,28₽

AUIRFR2407 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 42 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC606P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1699пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC645N Транзистор полевой N-канальный 30В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1460пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8015L Транзистор полевой N-канальный 40В 7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

945пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB47P06TM_AM002 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 47 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

47A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB55N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 55А 26 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP47P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 47A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

47A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP55N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 55 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

155Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF47P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 30A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

62Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

HUF75329D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

128Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7473PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 6.9A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.9A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

3180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7473TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 6.9A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.9A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

3180пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7478PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1740пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Внешние склады:

0 шт.

Аналоги:

89 шт.

Цена от:

от 71,04₽

Акция

IRFR2407PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 42А 110Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 008 шт

Цена от:

от 87,12₽

Акция

IRFS4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 62А 330Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

62A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

4600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 978 шт

Цена от:

от 93,06₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"