Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (38)
IRFP260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 50А 300Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 234нКл Входная емкость: 4057пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
5 744 шт

Под заказ:
2 320 шт
Цена от:
от 91,87
IRLL2705TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
5 268 шт

Под заказ:
6 737 шт
Цена от:
от 25,53
Акция STD20NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24А 0.032 Ом, 60Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
761 шт

Под заказ:
630 шт
Цена от:
от 57,87
STD20NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
154 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 45,01
Акция STP36NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
73 шт

Под заказ:
178 шт
Цена от:
от 91,18
IRF7404TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
40 шт

Под заказ:
40 000 шт
Цена от:
от 25,83
IRFB260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56А 380Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 4220пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 850 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 137,79
Акция IRFIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 21А 37Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
172 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 86,11
IRFP260MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 50А 300Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 234нКл Входная емкость: 4057пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
316 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 126,42
IRFTS9342TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 595пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 067 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 29,00
IRFZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29А 68Вт, 0.05 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
3 179 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 33,73
IRLR2705TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 347 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 31,15
STW70N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 68A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 68A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 450Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
6 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 398,04
AOD409 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 26А 30Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFIZ34N Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 21 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F/5 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
BUK7240-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 34A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 2293пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUZ11_NR4941 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 30А 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
FDD390N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 26А 63Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18.6нКл Входная емкость: 1285пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1138пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"