Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (22)
STD4NK80ZT4 STD4NK80ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 80Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 940 шт

Внешние склады:
6 715 шт
Цена от:
от 37,26
Акция
STP4NK80Z STP4NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 3 Ом, 80Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
327 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 121,08
STP4NK80ZFP STP4NK80ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
830 шт

Внешние склады:
1 344 шт
Цена от:
от 62,82
BSS138 BSS138 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 220мА 0.36Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
220мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
2.4нКл
Входная емкость:
27пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
536 797 шт
Цена от:
от 0,69
BSS138-7-F BSS138-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.3Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
536 797 шт
Цена от:
от 0,69
Акция
BSS138L BSS138L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
2.4нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
536 797 шт
Цена от:
от 0,69
BSS138LT1G BSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2А 0.36Вт, 3.5 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
536 797 шт
Цена от:
от 0,69
BSS138LT3G BSS138LT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
536 797 шт
Цена от:
от 0,69
BSS138Q-7-F BSS138Q-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
536 797 шт
Цена от:
от 0,69
BSS138W-7-F BSS138W-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.2Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
404 531 шт
Цена от:
от 1,14
BVSS138LT1G BVSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFPG40PBF IRFPG40PBF Транзистор полевой N-канальный 1000В 4.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTNUS3171PZT5G NTNUS3171PZT5G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 200 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-1123
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
125мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
13пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD3N80K5 STD3N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.5нКл
Входная емкость:
130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD4NK80Z-1 STD4NK80Z-1 Транзистор полевой N-канальный 800В 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
22.5нКл
Входная емкость:
575пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD5N95K3 STD5N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF3N80K5 STF3N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.5нКл
Входная емкость:
130пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STF5N95K3 STF5N95K3 Транзистор полевой N-канальный 950В 4А 25Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP3N80K5 STP3N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.5нКл
Входная емкость:
130пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STP5N95K3 STP5N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"