Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
BSH203,215 BSH203,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 470мА, 0.17Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
470мА
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
417мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
680mВ
Заряд затвора:
2.2нКл
Входная емкость:
110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
526 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 12,48
Акция
SPP06N80C3 SPP06N80C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
158 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 372,60
STD7NM60N STD7NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 45Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
363пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
151 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,50
Акция
STP10NK80Z STP10NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 160Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
302 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 249,48
STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 40Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
179 шт

Внешние склады:
790 шт
Цена от:
от 150,60
Акция
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 83Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
785пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 260,16
BSH202,215 BSH202,215 Транзистор полевой P-канальный 30В 520мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
520мА
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
417мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
2.9нКл
Входная емкость:
80пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP2004K-7 DMP2004K-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 600мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
550мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
175пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FCD900N60Z FCD900N60Z Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 4.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM-F085 FDD6N50TM-F085 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM-WS FDD6N50TM-WS Транзистор полевой N-канальный 500В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPA06N80C3XKSA1 SPA06N80C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD7ANM60N STD7ANM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
363пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF7NM60N STF7NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 4.7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
363пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STU7NM60N STU7NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 45Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
363пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW10NK80Z STW10NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW12NK95Z STW12NK95Z Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 10 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
113нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"