Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (17)

BSH203,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 470мА, 0.17Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 470мА Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 417мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 680mВ Заряд затвора: 2.2нКл Входная емкость: 110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

14 614 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 14,03₽

Акция

SPD06N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 83Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

49 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 296,32₽

Акция

SPP06N80C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

158 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 419,62₽

STD7NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 45Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 363пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

855 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 68,94₽

STP10NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2180пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

303 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 298,07₽

STP10NK80ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9А 40Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2180пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

308 шт

Под заказ:

840 шт

Цена от:

от 167,21₽

BSH202,215 Транзистор полевой P-канальный 30В 520мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 520мА Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 417мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 2.9нКл Входная емкость: 80пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP2004K-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 600мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 550мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCD900N60Z Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N50TM-F085 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.6нКл Входная емкость: 9400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N50TM-WS Транзистор полевой N-канальный 500В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.6нКл Входная емкость: 9400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPA06N80C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STD7ANM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 363пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF7NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 4.7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 363пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

STU7NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 45Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 363пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STW10NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2180пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STW12NK95Z Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 10 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 113нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"