Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (20)

IRFB42N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 44А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3430пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

108 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 152,70₽

Акция

IRFH5020TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 251 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 89,91₽

Акция

PMV48XP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 0.93Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 510мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 768 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 19,48₽

STY60NM60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 60А 560Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 560Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 266нКл Входная емкость: 7300пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 031,92₽

Акция

2SK3702 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18А 20Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 775пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

DMN2100UDM-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 4A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 555пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5612 Транзистор полевой N-канальный 60В 4.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5612 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 5.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDL100N50F Транзистор полевой N-канальный 500В 100A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO264 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2500Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 238нКл Входная емкость: 12000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDN302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 882пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86252 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 955пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FQP20N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 21А 0.055 Ом, 53Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF20N06L Транзистор полевой N-канальный 60В 15.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15.7A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP150PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 41A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 41A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFP260PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 46А 280Вт, 0.055 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 230нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

NTR4170NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2А 1,25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.2А Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 4.76нКл Входная емкость: 432пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMN48XP,115 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.1A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 530мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV48XPAR Транзистор полевой P-канальный 20В 3.5A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 510мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STS5NF60L Транзистор полевой N-канальный 60В 5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN2A03E6TA Транзистор полевой N-канальный 20В 3.6A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 837пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"