Одиночные MOSFET транзисторы

₁₆

Сопротивление открытого канала: 165 мОм

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1905)
Surface Mount (3539)
Chassis Mount (9)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (16)

-5%

STP26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 140Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 916 шт

Внешние склады:

512 шт

Цена от:

от 94,32₽

-5%

STW26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 140Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 835 шт

Внешние склады:

5 850 шт

Цена от:

от 88,68₽

IRLML9303TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.3А 1.25Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

2нКл

Входная емкость:

160пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

18 000 шт

Аналоги:

50 759 шт

Цена от:

от 8,04₽

-5%

STD17NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29.5нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

16 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 102,48₽

FCA22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1950пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247-3

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1950пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

FCP22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1950пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF22N60NT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1950пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB60R165CPATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 21A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-3

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

192Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.5В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR15N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR15N20DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

MCH3478-TL-W Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2A 3-Pin MCPH лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±12В

Заряд затвора:

1.7нКл

Входная емкость:

130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB18NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29.5нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STF17NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17А 0.14 Ом, 25Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

250В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29.5нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF26NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

165 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7106 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"