Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (27)

STB11NK40ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

864 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 167,98₽

STD10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 379 шт

Под заказ:

1 200 шт

Цена от:

от 65,92₽

STF10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

26 шт

Под заказ:

760 шт

Цена от:

от 53,89₽

STP10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

250 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 193,34₽

STP11NK40Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 0.55 Ом, 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

354 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 121,73₽

STP11NK40ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

174 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 173,58₽

STP13NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2030пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

56 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 177,12₽

STP13NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2030пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

197 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 152,91₽

DMN2004DWK-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 0.54A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 540мА Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2004K-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.63A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2004WK-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 540мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 540мА Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQPF11N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740ALPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF740ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF740LCPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 10A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 134Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF740SPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 10А 125Вт, 0.55 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF740STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 135Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"