Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (24)
STP10NK70ZFP STP10NK70ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 8.6А 35Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
700В
Ток стока макс.:
8.6A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
193 шт

Внешние склады:
220 шт
Цена от:
от 88,80
STP9NK50Z STP9NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А, 110Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
185 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 64,50
Акция
STP9NK50ZFP STP9NK50ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.2А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
341 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,30
Акция
STW13N95K3 STW13N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 10А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 245,64
FCPF850N80Z FCPF850N80Z Полевой транзистор N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
28.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1315пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP8N50NZ FDP8N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
735пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDPF8N50NZ FDPF8N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
40.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
735пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF9N50CF FQPF9N50CF Транзистор полевой N-канальный 500В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
44Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF840APBF IRF840APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF840LCLPBF IRF840LCLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF840PBF IRF840PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт, 0.85 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF840SPBF IRF840SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 3.1Вт, 0.85 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF840STRLPBF IRF840STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 125Вт, 0.85 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFI840GLCPBF IRFI840GLCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 40Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFI840GPBF IRFI840GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.6А 40Вт, 0.85 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"