Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (23)

AUIRF1010Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

2840пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

296 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 164,82₽

IRF1010ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

2840пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

75 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 137,70₽

STB140NF75T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120А 0.0065 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

218нКл

Входная емкость:

5000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

362 шт

Внешние склады:

910 шт

Цена от:

от 268,02₽

STP140NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

218нКл

Входная емкость:

5000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

100 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 217,38₽

IRF1010ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

2840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 135,18₽

IRFR1010ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

2840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 277,62₽

AUIRF1010ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А, 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

2840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG4413LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 10.5 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10.5A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.1В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

4965пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7580 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1190пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7692 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 14 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86101DC Транзистор полевой N-канальный 100В 14.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

14.5A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

3135пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP075N15A_F102 Транзистор полевой N-канальный 150В 130A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

333Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

7350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS6570A Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 15 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

4700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6682 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 14 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

2310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD50N04S308ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 40В 50A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF1607PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 142А 380Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

142A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

380Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

320нКл

Входная емкость:

7750пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7455PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14А 2.5Вт, 0.008 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

56нКл

Входная емкость:

3480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

454 шт

Цена от:

от 80,52₽

IRFR1010ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

2840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

100 шт

Цена от:

от 277,62₽

SI4124DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 20.5 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

20.5A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

77нКл

Входная емкость:

3540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4124DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 20.5 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

20.5A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

77нКл

Входная емкость:

3540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"