Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (24)

STD20NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

350 шт

Цена от:

от 144,18₽

BSZ12DN20NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 200В 11.3A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.3A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK92150-55A,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 11A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 338пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3612 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN308P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 341пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN358P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 182пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB22P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQPF22P10 Полевой транзистор P-канальный 100В 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR18N15DPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR18N15DTRPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHF30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHG30N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 29A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STB33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD25NF20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF20NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 18A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP20NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 18A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"