Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (24)
STD20NF20 STD20NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
150 шт

Внешние склады:
362 шт
Цена от:
от 134,46
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 200В 11.3A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Power33
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.3A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.7нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK92150-55A,118 BUK92150-55A,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 11A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
338пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC3612 FDC3612 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN308P FDN308P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5.4нКл
Входная емкость:
341пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN358P FDN358P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
182пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB22P10TM FQB22P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQPF22P10 FQPF22P10 Полевой транзистор P-канальный 100В 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFR18N15DPBF IRFR18N15DPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 18A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR18N15DTRPBF IRFR18N15DTRPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 18A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHP30N60E-GE3 SIHP30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STB33N60M2 STB33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45.5нКл
Входная емкость:
1781пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD25NF20 STD25NF20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF20NF20 STF20NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF33N60M2 STF33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45.5нКл
Входная емкость:
1781пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP20NF20 STP20NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 18A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP33N60M2 STP33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45.5нКл
Входная емкость:
1781пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"