Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1888)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (39)

Акция

2N7002E-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 250мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

250мА

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

370мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

0.22нКл

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

2N7002E-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 240мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

240мА

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

0.6нКл

Входная емкость:

21пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN26D0UFB4-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.24A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-883

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

230мА

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Входная емкость:

14.1пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN26D0UT-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

230мА

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

300мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Входная емкость:

14.1пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN65D8L-7 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.31A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

310мА

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

370мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

0.87нКл

Входная емкость:

22пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF820ALPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF820APBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF820PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.5А 50Вт, 3 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF820SPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF820STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF820STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9610PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.8A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

20Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9610SPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.8 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.8A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFBE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBE30SPBF Транзистор полевой N-канальный 800В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFD420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 370мА, 1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

HVM DIP

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

370мА

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

DIP-4

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

400мА

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.9нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFI820GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

360пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFIBE30GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

2.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247-3

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

3 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"