Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
AOD450 AOD450 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.8А 12Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
D-Pak (TO-252)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.82нКл
Входная емкость:
215пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG1013T-7 DMG1013T-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.46A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
460мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
270мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
0.622нКл
Входная емкость:
59.76пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN10H700S-7 Полевой транзистор N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
4.6нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDPF12N50FT FDPF12N50FT Транзистор полевой N-канальный 500В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1395пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDY300NZ FDY300NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 600 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
446мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.3В
Заряд затвора:
1.1нКл
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD7N30TM FQD7N30TM Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 5.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
300В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.5A 3-Pin SC-75A лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SC-75
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
150мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
0.75нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI1012X-T1-GE3 SI1012X-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 500мА
Производитель:
Vishay
Корпус:
SC-89
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
250мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
0.75нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STD5N20LT4 STD5N20LT4 Транзистор полевой N-канальный 200В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
242пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STW13NK100Z STW13NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1KВ 13А 350Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
350Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
266нКл
Входная емкость:
6000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Транзистор полевой N-канальный 100В 0.7A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.9нКл
Входная емкость:
138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Транзистор полевой N-канальный 100В 1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.9нКл
Входная емкость:
138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"