Одиночные MOSFET транзисторы

11
Входная емкость: 150пФ
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (11)
-5%
STN3N45K3 STN3N45K3 Транзистор полевой 450В 3Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
450В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
3.8 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
482 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 23,94
-5%
STN4NF20L STN4NF20L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
0.9нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
946 шт

Внешние склады:
830 шт
Цена от:
от 20,40
2SK2615(TE12L,F) 2SK2615(TE12L,F) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2A
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BS108ZL1G BS108ZL1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
250мА
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
DMN2004K-7 DMN2004K-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.63A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
630мА
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN2004WK-7 DMN2004WK-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 540мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
540мА
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN352AP FDN352AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
1.9нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF6217TRPBF IRF6217TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 0.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
2.4 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STQ3N45K3-AP STQ3N45K3-AP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 600мА
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO92-3
Напряжение исток-сток макс.:
450В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
3.8 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZXM61N03FTA ZXM61N03FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4.1нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61P02FTA ZXM61P02FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 900мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70312 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"