Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1888)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (22)

2SJ162 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 160В 7А 100Вт

Производитель:

RENESAS Electronics Corp.

Корпус:

TO-3P

Напряжение исток-сток макс.:

160В

Ток стока макс.:

Мощность макс.:

100Вт

Тип транзистора:

P-канал

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

77 шт

Внешние склады:

9 шт

Цена от:

от 458,34₽

FQD17P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 135 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

135 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP17P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9Z30PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 18A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

50В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

140 мОм

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR18N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR18N15DTRPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 18A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLU8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTHS4166NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 4.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFD16N05SM9A Транзистор полевой N-канальный 50В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

50В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

72Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

RFP12N10L Транзистор полевой N-канальный 100В 12A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

SI4056DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.1А 2.5Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11.1A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

29.5нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7456DDP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 27.8 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

27.8A

Сопротивление открытого канала:

23 мОм

Мощность макс.:

35.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

29.5нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

430 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF15N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 12 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

950В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP11NM60FD Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 70Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

430 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STP15N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 12 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

950В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STU12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 0.430 Ом

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

430 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STW15N95K5 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 12 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

950В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"