Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
IRFBF20LPBF IRFBF20LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFBF20PBF IRFBF20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFBF20STRLPBF IRFBF20STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.2 А, 30 Вт, 8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR430APBF IRFR430APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 110Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.7 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR430ATRPBF IRFR430ATRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.7 Ом
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 976 шт
Цена от:
от 13,20
IRFR9020PBF IRFR9020PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 9.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR9020TRPBF IRFR9020TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 9.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFU9020PBF IRFU9020PBF Транзистор полевой P-канальный 50В 9.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRL520PBF IRL520PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9.2 А,
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLD120PBF IRLD120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
HVMDIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLR120PBF IRLR120PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
270 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
SPA04N60C3 SPA04N60C3 Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5А 31Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
31Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPB04N60C3ATMA1 SPB04N60C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 4.5 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPP04N60C3XKSA1 SPP04N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
950 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"