Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
IRFI3205PBF IRFI3205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А 63Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
64A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
237 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 139,02
IRFP064NPBF IRFP064NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
7 436 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 74,40
ATP301-TL-H ATP301-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ATPAK
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS8670S FDMS8670S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA40N25 FQA40N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75345G3 HUF75345G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
325Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
275нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75345P3 HUF75345P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
325Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
275нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75345S3ST HUF75345S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
325Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
275нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPW60R075CPFKSA1 IPW60R075CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 39A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
39A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
313Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
116нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IXTA50N25T IXTA50N25T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50А 400Вт
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-263 (IXTA)
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
400Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IXTQ50N25T IXTQ50N25T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50А 250В 60мОм [TO-3P]
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-3P
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
400Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"