Одиночные MOSFET транзисторы

24
Входная емкость: 400пФ
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (24)
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18.3нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
23 064 шт

Внешние склады:
750 шт
Цена от:
от 29,22
-5%
STD16NF06T4 STD16NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16А 0.06 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.1нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
372 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,92
DMN2065UW-7 DMN2065UW-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
430мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS8622 FDMS8622 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.8A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN5630 FDN5630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFD020PBF IRFD020PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 2.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFL024NPBF IRFL024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт, 0.075 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18.3нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
23 814 шт
Цена от:
от 29,22
Акция
IRLD014PBF IRLD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
HVMDIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLIZ14GPBF IRLIZ14GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLL014TRPBF IRLL014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLR014PBF IRLR014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLR014TRPBF IRLR014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLU014PBF IRLU014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLZ14PBF IRLZ14PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLZ14SPBF IRLZ14SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.4нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPP03N60C3XKSA1 SPP03N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STB10N60M2 STB10N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13.5нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD10N60M2 STD10N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13.5нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD5NM60-1 STD5NM60-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70312 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"