Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
Акция IRF7201TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.3А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
7 906 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 38,73
DMN2041L-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 6.4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.4A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB11P06TM Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 11.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD11P06TM Транзистор полевой P-канальный 60В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD2N80TM Транзистор полевой N-канальный 800В 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 6.3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP11P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 11.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF2N80YDTU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 6.3 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF630 Транзистор полевой N-канальный 200В 6.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU11P06TU Транзистор полевой P-канальный 60В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF7201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7А 2Вт, 0.03 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 906 шт
Цена от:
от 38,73
IRFB4212PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
NTGS3433T1G Транзистор полевой P-канальный 12В 2.35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.35A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMV75UP,215 Транзистор полевой P-канальный 20В 2.5A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 102 мОм Мощность макс.: 490мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7454DDP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 21A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 29.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIS892ADN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF4N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 3.8 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
STL6N2VH5 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 2x2 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канальный Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
STU4N62K3 Транзистор полевой N-канальный 620В 3.8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"