Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
IRFR220NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5А 43Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 349 шт

Под заказ:
5 700 шт
Аналоги:
1 385 шт
Цена от:
от 24,75
Акция AO3422 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.1A 3-Pin SOT-23 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 3.3нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
14 790 шт
Цена от:
от 2,48
CPC5602CTR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 350В 5мА, 2.5Вт Производитель: Littelfuse Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 350В Ток стока макс.: 5мА Сопротивление открытого канала: 14 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
CPC5603CTR Полевой транзистор N-канальный 415В 0.005A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 415В Ток стока макс.: 5мА Сопротивление открытого канала: 14 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
DN2540N8-G Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 170 мА Производитель: Microchip Technology Inc. Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 25 Ом Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD6N25TM Транзистор полевой N-канальный 250В 4.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFIZ14GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFL014PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFL014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR014PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7А 25Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR014TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR014TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR220NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.0А 43Вт, 0.5 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
13 434 шт
Цена от:
от 17,67
IRFU014PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFU220NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFZ14PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 43Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole
PHT4NQ10T,135 Полевой транзистор N-канальный 100В 3.5A 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 6.9Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.4нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"