Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (26)

IRFL024ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5,1A 57,5мОм SOT-223 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 57.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 500 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 37,85₽

STN3NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4А 3.3Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 514 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 26,84₽

STN3P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3А 0.16 Ом, 2,6Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3А Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 2.6Вт Тип транзистора: P-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

279 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 143,03₽

CSD16301Q2 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.55В Заряд затвора: 2.8нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17313Q2-Q1 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17313Q2Q1 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF820ALPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF820APBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.5 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.56А 1.3Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 560мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL024ZPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 5.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 57.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 500 шт

Цена от:

от 37,85₽

Акция

IRFR420APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR420ATRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9220PBF Транзистор полевой P-канальный 200В 3.6А 42Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9220TRLPBF Транзистор полевой P-канальный 200В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9220TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU420APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3А 83Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU9220PBF Транзистор полевой P-канальный 200В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SI2307CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.5A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 88 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI2318CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD10P6F6 Транзистор полевой P-канальный 60В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"