Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

STD4N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 1.95 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

199 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 44,22₽

STD6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

492 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 95,16₽

STF6N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

227 шт

Под заказ:

100 шт

Цена от:

от 89,31₽

Акция

STL8N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5А 0.95 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 5x6 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

21 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 46,66₽

FQD13N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRL2703PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 45Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 363 шт

Цена от:

от 95,59₽

IRLR2703TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055-094T4G Транзистор полевой N-канальный 60В 12А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV250EPEAR Транзистор полевой P-канальный 40В 1.5A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3457CDV-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3457CDV-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.1 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 74 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD10NM50N Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 630 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD8N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF8N80K5 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP5N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP6N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP8N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STU6N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STU8N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STW6N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"