Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (14)
Акция
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
13 684 шт

Внешние склады:
5 756 шт
Цена от:
от 21,60
Акция
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 643 шт

Внешние склады:
740 шт
Цена от:
от 49,74
IRFR13N15DTRPBF IRFR13N15DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
212 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 255,96
Акция
STD7NM80 STD7NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6.5А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 293 шт

Внешние склады:
3 470 шт
Цена от:
от 86,82
AO3423 AO3423 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
92 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
6.6нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP3050LVT-7 DMP3050LVT-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TSOT-26
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10.5нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF830APBF IRF830APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 74Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF830ASPBF IRF830ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9Z34NSPBF IRF9Z34NSPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 383 шт
Цена от:
от 26,91
IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 383 шт
Цена от:
от 49,74
Акция
IRFR13N15DPBF IRFR13N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14А 86Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
212 шт
Цена от:
от 255,96
STD11N65M5 STD11N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP7NM80 STP7NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
1.05 Ом
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"